Autor
Cristol de Paiva Gouvêa
Instituto Nacional de Metrologia
Pontificia Universidad Católica de Río de Janeiro
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High hole-mobility of rrP3HT in organic field-effect transistors using low-polarity polyurethane gate dielectric
Acceso Cerrado
ART-ART_A1
ID Minciencias: ART-0001075969-22
Fuente: Organic Electronics
Harold C Avila
Pablo Serrano
Arthur R J Barreto
zubair ahmed
Cristol de Paiva Gouvêa
Cecília Vilani
Rodrigo B Capaz
Cleber Marchiori
Marco Cremona
Harold Jose Camargo Avila
Temas:
Dielectric
Dipole
Materials science
Electric field
Organic semiconductor
Electron mobility
Field-effect transistor
Optoelectronics
Gate dielectric
Transistor
Organic field-effect transistor
Charge density
Condensed matter physics
Chemistry
Analytical Chemistry (journal)
Voltage
Electrical engineering
Organic chemistry
Physics
Quantum mechanics
Engineering
Publicado: 2018
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