Autor
Thierry Baron
Instituto Politécnico de Grenoble
CEA Grenoble
Comisariado para la energía atómica y las energías renovables
Universidad Grenoble Alpes
CEA-Leti
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Electromagnetic field enhancement effects in group IV semiconductor nanowires. A Raman spectroscopy approach
Acceso Abierto
Fuente: Journal of Applied Physics
Jose Luis Pura
Julian Anaya
Jorge Souto
Angel Carmelo Prieto Colorado
Angel Rodriguez
Tomás Raúl Rodríguez Frutos
P Periwal
Thierry Baron
J Jiménez
Temas:
Nanowire
Raman spectroscopy
Materials science
Semiconductor
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Heterojunction
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Raman scattering
Photonics
Spectroscopy
Nanotechnology
Optics
Physics
Quantum mechanics
Publicado: 2018
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